반도체제품제조 학과시험문제 (직접회로조립작업)

1. GaAs는 화합물반도체중에 하나다

2.si단결정에는 si원자는공유결합해서, 그 결정구조는 다이아몬드구조이다

3.진성반도체의 온도는 높거나, 저항률이 높지않지않다

4. 일반적으로 GaAs의 전자 이동도는 si 전자의 이동도에 비해 크다

5.일반적으로 MOS IC는 바이폴라IC보다도 소비전력이 크지는않다

6.다이나믹RAM은 일정주기에 리프레쉬하지 않으면 메모리 내용이 소실된다

7.바인인테스트는 고온으로 통전해서 , 초기개장모드를 표시 불량품을 제거하는 크리닝테스트이다.

8.도체의 저항은 재료가 같더라도 형태가 다르게되면 저항치가 변한다.

9.삼상전동기의 회전속도는 전원주파수의 비례해서 빨라진다

10.기밀봉지패키지의 조립공정에는 온습도관리를 하지않으면 클린도가 요구된다

11.스탘도MCP(멀티칩패키지)는 하나의 패키지 안의 동일평면상에 복수주의 칩을 배치한 패키지는 아니다.

12.특정의 결과와 원인에는 관계를 계통적으로 물고기뼈같은 형태를 사용한것을 파레트즈라고 하지 않는다.

13.일본공업규격(JIS)라는것은, 기계제도의 투영법의 중심선은 세세한 이점쇄선을 이용한 규격이 아니다

14.제조물책임법에는 제춤의 결함에의한 사람의 생명 신체와재산에 손해가 발생한경우, 제조자는 발생한 손해에대해서

배상책임을 지지않으면 안된다.

15.훼루세프라는거슨 인간과기계의조작을 잘못해서 그것이 재해에 이어지기전의 경보가 움직이는기능을 의미하지않는다

16.초음파병용열압착 와이어본딩법에는 일반적으로 120도~240도 정도의 가열으로 본딩을 행한다.

17.집적회로의제조에사용하는 Si웨이퍼는 다결정체이지않다

18.Au-Si공정합금으로 다이본딩을 행할때에는 히터는 300도+-10도에 설정하면 안된다.

19.다이싱장치에 다이싱브레이드 를 붙일때에는 붙이는 토르크가 설정된다.

20.형광x선에의해 도금두께측정은 비파괴검사이다.

21.축x선투시에의해, 봉지할때의 수지에의한 Au선의 흐름을 체크하는것이 가능하다.

22.플라스틱패키지에는 수분이 침입할때 , 수소이온에의한 칩표면에의해 칩표면의 알루미늄이 부식하는것이다.

23.플라스틱패키지는 내습성에 우수하지만 , 고습도황경에 사용하는 IC에 적합하지는 않다

24. 클린 룸 내에 보관된 제품이 대전하고있으면 먼지가 정전흡인되어 제품에 부착하기쉽다.

25. 클린 룸 에의하면 방진관리의 기본은 발생먼지를 빠르게 제거하는것 먼지가 쌓이게 하지않는것 2개 가 아니다